HY0810S دیتاشیت

HY0810S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY0810S
حجم فایل 55.519 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HY0810S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY0810S
  • Power Dissipation (Pd): 3.5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@10V,8A
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه